單片清洗機
單片刻蝕機
Core Technology For Single Wafer Clean
Nano-Spray技術(shù)常溫條件下，且不同的氣壓、液壓的范圍下霧滴顆粒度值在6.8-7.8um(SMD)
Nano-Spray 在確定的條件下，距離晶圓的高度不一樣，其對晶圓表面的作用力大小不一樣，最終影響到清洗的效果
晶圓在不同的轉(zhuǎn)速下，且在Nano-Spray擺動清洗整片晶圓時一樣，會造成清洗不均勻性
每一圓徑上的線速度不一樣，Nano-Spray的擺動的線速度不同
確認(rèn)好晶圓表面打擊力，同時把晶圓的轉(zhuǎn)速，Nano-Spray的轉(zhuǎn)速，針對每一個點形成一個實時動態(tài)控制的閉環(huán)回路，來實現(xiàn)晶圓所有點的清洗均勻性
單片清洗機/單片刻蝕機
全自動單片工藝設(shè)備
客制化服務(wù)，提供1/2/3/4/8腔工藝設(shè)備定制
90nm單片清洗設(shè)備已經(jīng)通過工藝驗證
深入研究65至28nm制程的清洗技術(shù)
研究50-100um薄片清洗和刻蝕
研發(fā)伯努利真空吸盤，實現(xiàn)背面清洗和刻蝕
已特有的智能的動態(tài)微控清洗技術(shù)和兆聲波清洗技術(shù)
8/12晶圓單片設(shè)備為主，小尺寸的為輔
穩(wěn)定性高，可靠性好，一致性表現(xiàn)突出
優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，有競爭力的價格和使用成本
1、晶圓在高速旋轉(zhuǎn)時，背面有一層液體膜，兆聲波通過液體膜作用于晶圓上，同時正面有液體噴在晶圓上也形成一層液體膜；
2、正面的液體對晶圓有一定的打擊力，同時兆聲波會在晶圓上形成氣穴作用，在雙重作用力的情況下對晶圓進行清洗；
3、一種情況是背面的兆聲頻率和功率是一定的，且背面有接收兆聲功率大小的傳感器，則實時改變正面噴嘴的距離;
4、一種情況是正面噴洗的距離是一定的，且有接收兆聲功率大小的傳感器，則實時控制背面的兆聲波頻率和功率；
5、建立兆聲波氣穴作用和晶圓表面打擊力的相互作用力的清洗效率，找到均衡點，從而建立控制關(guān)系；
6、采用藍寶石的兆聲頭，能夠適用于各種惡劣的環(huán)境，兆聲波間接參與清洗工藝，避免造成過大的損傷。
主要優(yōu)勢
客戶特殊需求定制化服務(wù)
與客戶合力研究新工藝
智能的動態(tài)微控清洗技術(shù)
兆聲波清洗技術(shù)
準(zhǔn)確的化學(xué)液溫度，濃度，流量等穩(wěn)定且精準(zhǔn)控制
提供多腔不同工藝的流程控制
提供多種晶圓尺寸的設(shè)備開發(fā)